DIN EN 60749-18:2018-10 - Entwurf

Die Eignung von Halbleiterbauelementen für unterschiedliche Anwendungen ist abhängig auch von den klimatischen und mechanischen Umgebungseinflüssen, denen diese Bauelemente ausgesetzt werden. Die Normenreihe DIN EN 60749 enthält eine Vielzahl von unterschiedlichen Prüfverfahren hierzu. In diesem Teil der Normenreihe DIN EN 60749 wird ein Prüfverfahren beschrieben, mit dem die Anforderungen und Bedingungen für das Prüfen von verkappten integrierten Halbleiterschaltungen und Einzel-Halbleiterbauelementen auf Auswirkungen ionisierender Strahlungen (gesamte (integrale) Energiedosis) aus einer Kobalt-60 Gammastrahlenquelle festgelegt werden. Dazu werden vier unterschiedliche Prüfungen beschrieben. Es wird ein beschleunigtes Annealing (Tempern) beim Bewerten von Strahlungseffekten an Bauelementen mit kleinen Energiedosisleistungen beschrieben. Dieses Annealing ist wichtig bei kleinen Energiedosisleistungen oder bei bestimmten anderen Einsatzfällen, in welchen die Bauelemente signifikante zeitabhängige Effekte aufweisen. Dieser Norm-Entwurf ist nur für konstante und nicht für impulsförmige Bestrahlungen anwendbar. Die Prüfungen können wesentliche Beeinträchtigungen der elektrischen Eigenschaften von bestrahlten Bauelementen hervorrufen und sollte daher als ein zerstörendes betrachtet werden. Gegenüber DIN EN 60749-18:2003-09 soll die Neuausgabe an die aktuellen Festlegungen des Verfahrens 1019 von MIL-STD 883J angepasst werden, einschließlich der Aufnahme der ELDRS-Prüfung (Enhanced Low Dose Rate Sensitivity). Ferner wurde die Übersetzung des gesamten Dokuments überarbeitet. Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.