DIN 5032-9:2013-05 - Entwurf

Dieser Norm-Entwurf gilt für optische Messungen an Halbleiterlichtquellen soweit diese inkohärente optische Strahlung emittieren. Halbleiterlichtquellen im Sinne dieses Norm-Entwurfs sind einzelne Leuchtdioden (Licht emittierende Dioden) der Arten LED (anorganisch) und OLED (organisch) sowie Kombinationen aus mehreren Objekten derselben Art in verschiedenen zwei oder dreidimensionalen Strukturen, die hier als Arrays, Cluster, Module, Lampen und Leuchten unterschieden und namentlich festgelegt werden. Insbesondere werden die geometrischen Anordnungen, die elektrischen und thermischen Betriebsbedingungen und die Messung der Werte von photometrischen, farbmetrischen und spektralradiometrischen Größen behandelt. In diesem Norm-Entwurf werden darüber hinaus neue Messgrößen und zugehörende Messverfahren definiert mit denen die besonderen Eigenschaften der Halbleiterlichtquellen beschrieben und die eingeschränkten Messmöglichkeiten bei ihrer Herstellung berücksichtigt werden. Dieser Norm-Entwurf befasst sich nicht mit Halbleiterstrahlern für kohärente optische Strahlung (Laser) und auch nicht mit Grenzwerten zur Bewertung der Strahlungssicherheit. Er kann und soll aber verwendet werden soweit der Betrieb, die Ausrichtung und allgemein die Messverfahren für die Werte optischer Eigenschaften betroffen sind. Dieser Norm-Entwurf gilt nicht für die mithilfe von Halbleiterlichtquellen erzeugte Beleuchtung. Die Eigenschaften von Halbleiterlichtquellen unterscheiden sich weitgehend von denen der Glüh-, Halogen- und Entladungslampen. Ihr Betrieb und die Messung ihrer optischen Eigenschaften erfordert es, zusätzliche Begriffe zu definieren und besondere Messbedingungen und Messgrößen anzugeben. Diese Ergänzungen und ihre Abgrenzung zu bestehenden Angaben und Festlegungen werden in diesem Norm-Entwurf angegeben. Dieses Dokument wurde vom Arbeitsausschuss NA 058-00-03 AA "Photometrie" des Normenausschusses Lichttechnik (FNL) im DIN Deutsches Institut für Normung erarbeitet.