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Norm-Entwurf [ZURÜCKGEZOGEN]

DIN 50453-2:2023-02 - Entwurf

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung der Ätzrate von Ätzmischungen - Teil 2: Siliciumdioxid-Schichten, Optisches Verfahren

Englischer Titel
Testing of materials for semiconductor technology - Determination of etch rates of etching mixtures - Part 2: Silicium-dioxid coating, optical method
Erscheinungsdatum
2023-01-06
Ausgabedatum
2023-02
Originalsprachen
Deutsch
Seiten
8

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Erscheinungsdatum
2023-01-06
Ausgabedatum
2023-02
Originalsprachen
Deutsch
Seiten
8
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/3400900

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Einführungsbeitrag

Dieses Dokument legt ein Verfahren fest, welches zur schnellen Bestimmung der Ätzrate von Ätzmischungen an Siliciumdioxidschichten dient. Dieses Dokument ist für Ätzmischungen anwendbar, die bei Siliciumdioxid eine weitgehend gleichmäßige Flächenabtragung erzielen. Dieses Dokument wurde vom Arbeitsausschuss NA 062-02-21 AA "Prüfung von Prozessmaterialien für die Halbleitertechnologie" im DIN-Normenausschuss Materialprüfung (NMP) erarbeitet.

Inhaltsverzeichnis
ICS
29.045
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/3400900
Ersatzvermerk

Dokument wurde ersetzt durch DIN 50453-2:2023-08 .

Änderungsvermerk

Gegenüber DIN 50453-2:1990-10 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) redaktionelle Bearbeitung des Abschnittes 1 "Anwendungsbereich"; b) Abschnitt 5 "Einheiten" entfernt und entsprechend eine Anpassung der Nummerierung; c) Überarbeitung von ehemaligem Abschnitt 6 "Geräte"; d) konkrete Anforderung zur Dicke des Siliciums-Substrats in ehemaligen Abschnitt 7 entfernt; e) Titel von früherem Abschnitt 8 auf "Zusammensetzung der Ätzmischungen" ergänzt; f) neuer Abschnitt 9 "Probenvorbereitung" ergänzt; g) ehemaliger Abschnitt 11 "Durchführung" aktualisiert; h) Überarbeitung des Prüfberichts in früherem Abschnitt 14; i) redaktionelle Überarbeitung.

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