Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur (IEC 47/2881/CDV:2024); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 60749-23:2024
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Norm-Entwurf

DIN EN IEC 60749-23:2025-10 - Entwurf

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur (IEC 47/2881/CDV:2024); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 60749-23:2024

Englischer Titel
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life (IEC 47/2881/CDV:2024); German and English version prEN IEC 60749-23:2024
Erscheinungsdatum
2025-09-26
Ausgabedatum
2025-10
Originalsprachen
Deutsch, Englisch
Seiten
18

ab 72,60 EUR inkl. MwSt.

ab 67,85 EUR exkl. MwSt.

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Erscheinungsdatum
2025-09-26
Ausgabedatum
2025-10
Originalsprachen
Deutsch, Englisch
Seiten
18
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/3644729

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Einführungsbeitrag

Dieses Prüfverfahren wird zum Ermitteln zeitbezogener Auswirkungen auf Halbleiterbauelemente verwendet, wenn diese sowohl mit elektrischer Spannung als auch Wärme beansprucht werden. Die detaillierte Anwendung und Durchführung des Burn-in liegen nicht im Anwendungsbereich dieses Dokuments. Darüber hinaus gibt es keine besonderen Einschränkungen. Gegenüber DIN EN 60749-23:2011-07 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Definitionen zu Grenzwerten bei Beanspruchungsprüfungen und sich daraus ergebende Prüfdauern wurden aktualisiert.

ICS

31.080.01

DOI

https://dx.doi.org/10.31030/3644729
Ersatzvermerk
Änderungsvermerk

Gegenüber DIN EN 60749-23:2011-07 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Definitionen zu Grenzwerten bei Beanspruchungsprüfungen und sich daraus ergebende Prüfdauern wurden aktualisiert.

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