Norm-Entwurf [VORBESTELLBAR]
DIN EN IEC 63550-2:2026-05 - Entwurf
VDE 0884-3550-2:2026-05
Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 2: Bewertungsmethode für die Linearität in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2942/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-2:2025
- Englischer Titel
- Semiconductor devices - Neuromorphic devices - Part 2: Evaluation method of linearity in memristor devices (IEC 47/2942/CDV:2025); German and English version prEN IEC 63550-2:2025
- Erscheinungsdatum
- 2026-04-03
- Ausgabedatum
- 2026-05
- Originalsprachen
- Deutsch, Englisch
- Seiten
- 36
- Erscheinungsdatum
- 2026-04-03
- Ausgabedatum
- 2026-05
- Originalsprachen
- Deutsch, Englisch
- Seiten
- 36
Produktinformationen auf dieser Seite:
Schnelle Zustellung per Download oder Versand
Jederzeit verschlüsselte Datenübertragung
Einführungsbeitrag
Dieser Teil von IEC 63550-2 legt die Prüfverfahren für die Bewertung der Linearität von neuromorphen Memristor-Bauelementen fest. Die in diesem Dokument beschriebenen Prüfverfahren umfassen Langzeitpotenzierung (LTP, englisch: long term potentiation), Langzeitdepression (LTD, englisch: long term depression), Dauerhaltbarkeit und Retention von LTD/LTP sowie Linearität. Dieses Dokument ist anwendbar auf neuromorphe Memristor-Bauelemente mit zwei Anschlüssen, ohne Einschränkungen in Bezug auf die Technologie und Größe der Bauelemente. Es gibt keine Einschränkungen im Anwendungsbereich des Dokuments. Durch seine Anwendung erhöht das Dokument die Investitionssicherheit für Hersteller und Anwender, gibt Prüflaboratorien und Herstellern definierte Informationen für die Prüfung und erhöht die Kompatibilität der Produkte zwischen den Herstellern.