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Norm [AKTUELL]

DIN EN 62047-18:2014-04

Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtwerkstoffe (IEC 62047-18:2013); Deutsche Fassung EN 62047-18:2013

Englischer Titel
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 18: Bend testing methods of thin film materials (IEC 62047-18:2013); German version EN 62047-18:2013
Ausgabedatum
2014-04
Originalsprachen
Deutsch
Seiten
15

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Ausgabedatum
2014-04
Originalsprachen
Deutsch
Seiten
15
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/2088294

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Einführungsbeitrag

Die strukturellen Hauptwerkstoffe für MEMS, Mikrobauteile und so weiter besitzen besondere Eigenschaften wie Maße im Mikrometerbereich, Herstellungsverfahren des Werkstoffs mittels Schichtabscheidung und Fotolithografie und/oder nichtmechanische Bearbeitung von Mikroproben. Dünnschicht-Werkstoffe werden als Hauptbestandteil von MEMS-Bauteilen und Mikromaschinen verwendet. Dieses Dokument legt die Biegeprüfung und die Form des Prüflings als oberflächenpolierten cantileverförmigen Prüfling mit Abmessungen im Mikrometerbereich fest, die eine Genauigkeit ermöglicht, welche den besonderen Eigenschaften entspricht. Das Prüfverfahren ist anwendbar zur Biegebeanspruchung von Dünnschicht-Werkstoffen mit einer Länge und einer Breite von jeweils unter 1 mm und einer Dicke im Bereich von 0,1 µm bis 10 µm. Neben Festlegungen zur Fertigung der Mikroproben und der Prüfdurchführung sind in dem Dokument informative Hinweise zur Kontaktfläche zwischen Mikroprobe und Substrat sowie zum Verhältnis zwischen Kraft und Auslenkung gegeben. Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.

ICS
31.080.01, 31.220.01
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/2088294

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