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Energie- und Elektrotechnik

79 Suchergebnisse

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  • Sachmerkmal-Leisten für Transistoren und Thyristoren

    Norm [AKTUELL] 1988-12

    DIN 4000-19:1988-12

    Sachmerkmal-Leisten für Transistoren und Thyristoren

    ab 36,70 EUR inkl. MwSt.

    ab 34,30 EUR exkl. MwSt.

    Zur Auswahl
  • Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006

    Norm [AKTUELL] 2007-01

    DIN EN 62373:2007-01

    Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006

    ab 74,80 EUR inkl. MwSt.

    ab 69,91 EUR exkl. MwSt.

    Zur Auswahl
  • Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010

    Norm [AKTUELL] 2010-12

    DIN EN 62416:2010-12

    Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010

    In diesem Dokument ist ein Prüfverfahren auf "heiße" Ladungsträger (Hot-Carrier) auf Waferniveau für NMOS- und PMOS-Transistoren festgelegt. Das Prüfverfahren wurde erarbeitet, um zu ermitteln ...

    ab 82,60 EUR inkl. MwSt.

    ab 77,20 EUR exkl. MwSt.

    Zur Auswahl
  • Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern (IEC 63373:2022); Deutsche Fassung EN IEC 63373:2022

    Norm [AKTUELL] 2023-08

    DIN EN IEC 63373:2023-08

    Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern (IEC 63373:2022); Deutsche Fassung EN IEC 63373:2022

    Im Allgemeinen ist die Prüfung des dynamischen Durchlasswiderstands ein Maß für Ladungseinschlussphänomene in GaN-Leistungstransistoren. Diese Veröffentlichung enthält Richtlinien für die Prüfung ...

    ab 97,40 EUR inkl. MwSt.

    ab 91,03 EUR exkl. MwSt.

    Zur Auswahl
  • Vordruck für Bauartspezifikation - Phototransistoren, Photo-Darlington-Transistoren, Phototransistorzeilen; Deutsche Fassung EN 120003:1992

    Norm [AKTUELL] 1996-11

    DIN EN 120003:1996-11

    Vordruck für Bauartspezifikation - Phototransistoren, Photo-Darlington-Transistoren, Phototransistorzeilen; Deutsche Fassung EN 120003:1992

    ab 60,10 EUR inkl. MwSt.

    ab 56,17 EUR exkl. MwSt.

    Zur Auswahl
  • Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006)

    Norm [AKTUELL] 2007-03-01

    OEVE/OENORM EN 62373:2007-03-01

    Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006)

    ab 108,47 EUR inkl. MwSt.

    ab 101,37 EUR exkl. MwSt.

    Zur Auswahl
  • Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010) (deutsche Fassung)

    Norm [AKTUELL] 2011-01-01

    OEVE/OENORM EN 62416:2011-01-01

    Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010) (deutsche Fassung)

    ab 108,47 EUR inkl. MwSt.

    ab 101,37 EUR exkl. MwSt.

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  • Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern

    Norm [AKTUELL] 2022-03

    SN EN IEC 63373:2022-03

    Richtlinien für Prüfverfahren des dynamischen Einschaltwiderstandes bei GaN-HEMT-Leistungswandlern

    31,10 EUR inkl. MwSt.

    29,07 EUR exkl. MwSt.

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  • Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)

    Norm [AKTUELL] 2006-08

    SN EN 62373:2006-08

    Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)

    ab 23,30 EUR inkl. MwSt.

    ab 21,78 EUR exkl. MwSt.

    Zur Auswahl
  • Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren

    Norm [AKTUELL] 2010-06

    SN EN 62416:2010-06

    Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren

    ab 28,00 EUR inkl. MwSt.

    ab 26,17 EUR exkl. MwSt.

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