Norm-Entwurf
DIN EN IEC 62276:2023-05 - Entwurf
Einkristall-Wafer für Oberflächenwellen-(OFW-)Bauelemente - Festlegungen und Messverfahren (IEC 49/1401/CD:2022); Text Deutsch und Englisch
- Englischer Titel
- Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications - Specifications and measuring methods (IEC 49/1401/CD:2022); Text in German and English
- Erscheinungsdatum
- 2023-04-28
- Ausgabedatum
- 2023-05
- Information
-
Beabsichtigte Zurückziehung mit Ersatz zum 2026-03 durch: DIN EN IEC 62276, Ausgabe:2026-03
- Originalsprachen
- Deutsch, Englisch
- Seiten
- 91
- Erscheinungsdatum
- 2023-04-28
- Ausgabedatum
- 2023-05
- Information
-
Beabsichtigte Zurückziehung mit Ersatz zum 2026-03 durch: DIN EN IEC 62276, Ausgabe:2026-03
- Originalsprachen
- Deutsch, Englisch
- Seiten
- 91
- DOI
- https://dx.doi.org/10.31030/3428642
Produktinformationen auf dieser Seite:
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Einführungsbeitrag
Diese Dokument gilt für die Herstellung von Einkristall-Wafern aus synthetischen Quarzkristallen, Lithiumniobat(LN)-, Lithiumtantalat(LT)-, Lithiumtetraborat(LBO)-Kristallen und Lanthanum-Gallium-Silikat (LGS), die für die Verwendung als Substrate bei der Herstellung von Oberflächenwellen-(OFW-)Filtern und Resonatoren vorgesehen sind. Durch seine Anwendung erhöht das Dokument die Investitionssicherheit für Hersteller und Anwender, gibt Prüflaboratorien und Herstellern definierte Informationen für die Prüfung und erhöht die Kompatibilität der Produkte zwischen den Herstellern.
ICS
DOI
Gegenüber DIN EN 62276:2017-08 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Die Begriffe, die technischen Anforderungen, die Häufigkeit der Probenahme, die Prüfverfahren und die Messung von Transmissionsgrad, Helligkeit und Farbunterschied für LN und LT wurden hinzugefügt, um den Anforderungen der industriellen Entwicklung gerecht zu werden; b) Die in den Abschnitten 5.4 und 6.9 genannten Begriffe für Einschlüsse wurden hinzugefügt, da sie in Abschnitt 3 nicht definiert sind; c) Die Spezifikation von LTV und PLTV sowie die entsprechende Beschreibung der Abtastfrequenz für LN und LT werden hinzugefügt, da sie die wichtigsten Leistungsparameter für die Wafer sind; d) Die Toleranz der Curie-Temperatur-Spezifikation für LN und LT wurde hinzugefügt, um den Entwicklungsanforderungen der Industrie gerecht zu werden; e) Die Messungen von Dicke, TV5, TTV, LTV und PLTV wurden fertiggestellt, einschließlich des Messprinzips und der Messmethode für Dicke, TV5, TTV, LTV und PLTV.