DIN EN IEC 60749-34-1:2026-07

Dieser Teil von IEC 60749 beschreibt ein Prüfverfahren, das zur Ermittlung der Widerstandsfähigkeit eines Leistungshalbleitermoduls gegen aus Lastwechselzyklen resultierende thermische und mechanische Beanspruchungen der im Gehäuse montierten Halbleiter wie auch der innen liegenden Verbinder verwendet wird. Er basiert auf IEC 60749-34, wurde jedoch speziell für Leistungshalbleitermodulprodukte entwickelt, darunter Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT), Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET), Dioden und Thyristoren. Diese Prüfung verursacht Verschleißausfall und wird deshalb als zerstörend betrachtet. Die Norm beschreibt Begriffe, Prüfgerät, Durchführung, Prüfbedingungen, Messungen, Ausfallkriterien und Schätzung der Lastwechselzyklus-Leistungsfähigkeit. Wenn ein Kunde eine individuelle Verwendung oder eine anwendungsspezifische Richtlinie (z. B. ECPE-Richtlinie AQG 324) anfordert, können die Details des Prüfverfahrens auf diesen Anforderungen basieren, wenn sie vom Inhalt dieses Dokuments abweichen. Durch seine Anwendung erhöht das Dokument die Investitionssicherheit für Hersteller und Anwender, gibt Prüflaboratorien und Herstellern definierte Informationen für die Prüfung und erhöht die Kompatibilität der Produkte zwischen den Herstellern.