Energie- und Elektrotechnik

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Verunreinigungen in Träger- und Dotiergasen - Teil 2: Bestimmung der Sauerstoffverunreinigung in Stickstoff, Argon, Helium, Neon und Wasserstoff mittels einer galvanischen Messzelle

Norm [AKTUELL] 2026-03

DIN 50450-2:2026-03

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Verunreinigungen in Träger- und Dotiergasen - Teil 2: Bestimmung der Sauerstoffverunreinigung in Stickstoff, Argon, Helium, Neon und Wasserstoff mittels einer galvanischen Messzelle

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Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Verunreinigungen in Träger- und Dotiergasen - Teil 9: Bestimmung von Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenstoffmonooxid, Kohlenstoffdioxid, Wasserstoff und C₁-C₃-Kohlenwasserstoffen in Chlorwasserstoff mit Gaschromatographie

Norm [AKTUELL] 2021-07

DIN 50450-9:2021-07

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Verunreinigungen in Träger- und Dotiergasen - Teil 9: Bestimmung von Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenstoffmonooxid, Kohlenstoffdioxid, Wasserstoff und C₁-C₃-Kohlenwasserstoffen in Chlorwasserstoff mit Gaschromatographie

Dieses Dokument legt ein Verfahren zur Bestimmung des Stoffmengenanteils an Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenstoffmonooxid, Kohlenstoffdioxid, Wasserstoff und C1-C3-Kohlenwasserstoffen in ...

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Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 3: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salpetersäure mittels ICP-MS

Norm [AKTUELL] 2014-11

DIN 50451-3:2014-11

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 3: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salpetersäure mittels ICP-MS

Dieses Dokument legt ein Verfahren zur Bestimmung von den für die Halbleitertechnologie wichtigen Elemente Al, As, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, Ga, Ge, Hf, In, K, Li, Mg, Mn, Mo, Ni, Nb ...

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Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 4: Bestimmung von 34 Elementen in hochreinem Wasser durch Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)

Norm [AKTUELL] 2024-09

DIN 50451-4:2024-09

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 4: Bestimmung von 34 Elementen in hochreinem Wasser durch Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)

Dieses Dokument legt ein Prüfverfahren zur Bestimmung der Massenanteile von 34 Elementen im extremen Spurenbereich in Reinstwasser fest, wobei als Bestimmungsverfahren die Massenspektrometrie mit ...

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Norm [AKTUELL] 2022-08

DIN 50451-5:2022-08

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 5: Leitlinie zur Auswahl von Werkstoffen und Prüfung ihrer Eignung für Geräte zur Probenahme und Probenvorbereitung für die Elementspuren-Bestimmung im Bereich von Mikrogramm je Kilogramm und Nanogramm je Kilogramm

Dieses Dokument gibt eine Leitlinie zur Auswahl von Werkstoffen und zur Prüfung ihrer Eignung für Geräte zur Probennahme und Probenvorbereitung, die für die Bestimmung von Verunreinigungen in ...

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Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 6: Bestimmung von 36 Elementen in hochreiner Ammoniumfluorid-Lösung (NH₄F) und Ätzmischungen aus hochreiner Ammoniumfluorid-Lösung mit Flusssäure

Norm [AKTUELL] 2014-11

DIN 50451-6:2014-11

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 6: Bestimmung von 36 Elementen in hochreiner Ammoniumfluorid-Lösung (NH₄F) und Ätzmischungen aus hochreiner Ammoniumfluorid-Lösung mit Flusssäure

Dieses Dokument legt Verfahren zur Bestimmung der Elemente Ag, Al, As, Au, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, Ga, Ge, In, K, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Ni, Pb, Pt, Rb, Sb, Sn, Sr, Ti, Tl, V, W, Zn ...

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Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 7: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salzsäure mittels ICP-MS

Norm [AKTUELL] 2018-04

DIN 50451-7:2018-04

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 7: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salzsäure mittels ICP-MS

Dieses Dokument legt Verfahren zur Prüfung von Salzsäure auf 31 Elemente im Spurenbereich fest, wobei als Bestimmungsverfahren die Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS) ...

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Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 8: Bestimmung von 33 Elementen in hochreiner Schwefelsäure mittels ICP-MS

Norm [AKTUELL] 2022-08

DIN 50451-8:2022-08

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 8: Bestimmung von 33 Elementen in hochreiner Schwefelsäure mittels ICP-MS

Dieses Dokument legt ein Verfahren zur Bestimmung der für die Halbleitertechnologie wichtigen Elemente Ag, Al, As, B, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, Ga, In, K, Li, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Ni, Pb ...

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Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 9: Bestimmung von 40 Elementen in Wasserstoffperoxid mittels ICP-MS

Norm-Entwurf [VORBESTELLBAR] 2026-11

DIN 50451-9:2026-11 - Entwurf

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 9: Bestimmung von 40 Elementen in Wasserstoffperoxid mittels ICP-MS

Dieses Dokument legt ein Verfahren zur Bestimmung der für die Halbleitertechnologie wichtigen Elemente Ag, Al, As, Au, Ba, Be, Bi, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, Ga, Ge, In, Ir, K, La, Li, Mg, Mn, Mo ...

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