Normung, Kommunikation, Dokumentation

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  • Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 1: Bewertungsverfahren für grundlegende Eigenschaften in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2943/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-1:2025

    Norm-Entwurf 2026-05

    DIN EN IEC 63550-1:2026-05; VDE 0884-3550-1:2026-05 - Entwurf

    Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 1: Bewertungsverfahren für grundlegende Eigenschaften in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2943/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-1:2025

    Dieser Teil von IEC 63550-1 legt die Prüfverfahren für die Bewertung der grundlegenden Eigenschaften von neuromorphen Memristor-Bauelementen fest. Die Prüfverfahren in diesem Dokument umfassen ...

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  • Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 2: Bewertungsmethode für die Linearität in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2942/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-2:2025

    Norm-Entwurf 2026-05

    DIN EN IEC 63550-2:2026-05; VDE 0884-3550-2:2026-05 - Entwurf

    Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 2: Bewertungsmethode für die Linearität in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2942/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-2:2025

    Dieser Teil von IEC 63550-2 legt die Prüfverfahren für die Bewertung der Linearität von neuromorphen Memristor-Bauelementen fest. Die in diesem Dokument beschriebenen Prüfverfahren umfassen ...

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  • Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 3: Bewertungsmethode für spikeabhängige Plastizität in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2941/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-3:2025

    Norm-Entwurf 2026-05

    DIN EN IEC 63550-3:2026-05; VDE 0884-3550-3:2026-05 - Entwurf

    Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 3: Bewertungsmethode für spikeabhängige Plastizität in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2941/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-3:2025

    Dieser Teil von IEC 63550-3 legt die Prüfverfahren für die Bewertung der spike-abhängigen Plastizität von neuromorphen Memristor-Bauelementen fest. Die in dieser Internationalen Norm beschriebenen ...

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  • Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 4: Bewertungsmethode für Asymmetrien in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2940/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-4:2025

    Norm-Entwurf 2026-05

    DIN EN IEC 63550-4:2026-05; VDE 0884-3550-4:2026-05 - Entwurf

    Halbleiterbauelemente - Neuromorphe Bauelemente - Teil 4: Bewertungsmethode für Asymmetrien in Memristor-Bauelementen (IEC 47/2940/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-4:2025

    Dieser Teil von IEC 63550-4 legt den Schwerpunkt auf die Beurteilung von Asymmetrieeigenschaften, die eine entscheidende Rolle bei der Handhabung von Memristoren mit unausgewogenem Schaltverhalten ...

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  • w_173579437_covf.[SIZE].gif

    Norm [AKTUELL] 2026-01-22

    ABNT NBR 16066:2026-01-22

    Internet based identifier (IBI) generation system

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  • w_8101_covf.[SIZE].gif

    Norm-Entwurf 2025-11-10

    PR NF EN IEC 63550-1:2025-11-10 - Entwurf

    Semiconductor devices - Neuromorphic devices - Part 1: Evaluation method of basic characteristics in memristor devices

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    Norm-Entwurf 2025-11-10

    PR NF EN IEC 63550-2:2025-11-10 - Entwurf

    Semiconductor devices - Neuromorphic devices - Part 2: Evaluation method of linearity in memristor devices

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    Norm-Entwurf 2025-11-10

    PR NF EN IEC 63550-3:2025-11-10 - Entwurf

    Semiconductor devices - Neuromorphic devices - Part 3: Evaluation method of spike dependent plasticity in memristor devices

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    Norm-Entwurf 2025-11-10

    PR NF EN IEC 63550-4:2025-11-10 - Entwurf

    Semiconductor devices - Neuromorphic devices - Part 4: Evaluation method of asymmetry in neuromorphic memristor devices

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    Norm-Entwurf 2026-09-04

    26/30570615 DC:2026-09-04 - Entwurf

    BS EN IEC 63550-5 Semiconductor devices. Neuromorphic devices. Part 5. Evaluation method of endurance and retention in memristor devices

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